NOVOSENSE推出应用于GaN应用的驱动IC产品

NOVOSENSE近期发布了一系列驱动产品，可广泛应用于工业变频器、伺服、机器人、空调压缩机、新能源汽车主驱动、光伏逆变器、储能等领域、UPS、大功率电源和快充、储能、服务器电源等GaN应用场景。

NOVOSENSE 单通道智能隔离栅极驱动器 NSi68515 专为驱动总线电压高达 2121V DC 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计。其输入方式兼容光耦输入，输入端和输出端采用双电容增强隔离技术。基于NOVOSENSE Adaptive OOK编码技术，可支持最低150kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI)。NSi68515通过DESAT管脚检测管路VCE电压，判断管路短路和过流，实现快速关断。保护时间比业界常见的带保护功能的光耦隔离驱动IC快一倍，大大提高了系统的鲁棒性。

GaN驱动NSD2621是一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于驱动E-mode(增强型)GaN开关管。NSD2621将隔离技术应用于高压半桥驱动器，共模瞬态噪声阻抗高达150V/ns，可承受700V的负电压，解决了桥臂的共模瞬态和负电压尖峰问题GaN 应用中的中点 SW 引脚。此外，内上下管的驱动输出集成稳压LDO，有效抑制VDD或BST引入的高频干扰，保护GaN开关栅极免受过压应力的影响。

此外，为充分发挥GaN高频高速的特性优势，NSG65N15K，NOVOSENSE推出了集成功率级产品，集成了半桥驱动NSD2621和两颗耐压650V、导通电阻为GaN开关管150mΩ，工作电流可达20A。NSG65N15K将驱动器和GaN封装在一起，采用9*9mm QFN封装，用一个器件代替驱动器和两个开关管组成的半桥，有效减少元器件数量和布局面积，组合封装有助于降低驱动器与开关管之间的寄生电感，简化了系统设计，提高了可靠性。

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